碲镉汞（HgCdTe）线性雪崩焦平面因其相对低的过剩噪声、较小的工作电压、线性可调等优点，得到了广泛关注。基于电子雪崩中波HgCdTe PIN二极管结构，开展暗电流模型和Okuto-Crowell增益模型仿真。通过改变器件材料结构参数模拟不同电压下的暗电流和增益特性。计算讨论了不同I区（本征区）厚度和载流子浓度对器件暗电流和增益的影响。结果表明结区峰值场强的变化会导致直接隧穿（BBT）电流产生率数量级上的剧烈变化；增加I区厚度和降低I区掺杂浓度可有效抑制BBT电流；增益随场强的变化趋势与BBT电流随场强的变化趋势一致；因此抑制BBT电流的措施会造成增益性能的下降，需要优化参数以获得最佳性能。综合考虑暗电流和增益性能，I区的厚度应不小于3μm，I区浓度需控制在5×10¹⁴cm^-3以下。单元中波APD的增益实验结果与仿真数据较好地吻合，表明了理论模型的正确性。